三菱電機【6503】が反発。この日、東京大学と世界で初めて、SiCパワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する電子散乱を起こす3つの要因の影響度を解明、
界面下の抵抗を従来比3分の1に低減することを確認したと発表したことが買い手掛かりになった。SiCパワー半導体素子はパワー半導体モジュールに搭載される素子で、今回の成果をもとにSiCパワー半導体素子の低抵抗化によるパワーエレクトロニクス機器のさらなる省エネに貢献するとしている。
証券市場新聞 https://marketpress.jp/
三菱電機【6503】が反発。この日、東京大学と世界で初めて、SiCパワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する電子散乱を起こす3つの要因の影響度を解明、
界面下の抵抗を従来比3分の1に低減することを確認したと発表したことが買い手掛かりになった。SiCパワー半導体素子はパワー半導体モジュールに搭載される素子で、今回の成果をもとにSiCパワー半導体素子の低抵抗化によるパワーエレクトロニクス機器のさらなる省エネに貢献するとしている。
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