オキサイド<6521>が反発。同社は18日の取引終了後、半導体材料であるGaN薄膜単結晶の成長に適した新材料単結晶基板「SAM」のサンプル出荷を開始すると発表した。今回サンプル出荷を開始するSAMは、GaNの格子定数および熱膨張率のミスマッチがサファイアと比較して、それぞれ1/10以下、1/3O以下と小さく、基板内の結晶転位密度も低い特長を有します。そのため、SAM上に成長させたGaNは、サファイア上に成長させたGaNと比較して、高歩留まりで且つ転位等の格子欠陥が少なく完全性の高い膜を構成することが原理的に可能となり、従来よりも高性能なGaNの実現が期待される。
提供:株式市場新聞社 marketpress.jp
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