オキサイド<6521>が反発。同社は１８日の取引終了後、半導体材料であるＧａＮ薄膜単結晶の成長に適した新材料単結晶基板「ＳＡＭ」のサンプル出荷を開始すると発表した。今回サンプル出荷を開始するＳＡＭは、ＧａＮの格子定数および熱膨張率のミスマッチがサファイアと比較して、それぞれ１／１０以下、１／３Ｏ以下と小さく、基板内の結晶転位密度も低い特長を有します。そのため、ＳＡＭ上に成長させたＧａＮは、サファイア上に成長させたＧａＮと比較して、高歩留まりで且つ転位等の格子欠陥が少なく完全性の高い膜を構成することが原理的に可能となり、従来よりも高性能なＧａＮの実現が期待される。
提供：株式市場新聞社 marketpress.jp
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